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Evaluation der elektrischen Eigenschaften mit Kohlenstoff-unterstützter Epitaxie hergestellter Germaniumfilme auf Silizium anhand von MOS-Transistoren

Dr. Dominic Tetzlaff

Leibniz Universität Hannover
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Schneiderberg 32
30167 Hannover

Tel.: +49 - (0)511 762 5037
Fax: +49 - (0)511 762 4229
E-Mail: tetzlaff@mbe.uni-hannover.de

Kurzbeschreibung

Das Interesse an der Nutzung von Germanium-basierten integrierten Bauelementen nimmt seit einigen Jahren stetig zu. Gute Absorptionseigenschaften im nahen Infrarotbereich ermöglichen die Anwendung in optoelektronischen Bauelementen wie Fotodetektoren. Darüber hinaus ermöglicht Germanium Metall-Oxid-Halbleiter- (engl. metal oxide semiconductor, MOS-) Transistoren mit hohen Kanalbeweglichkeiten und bietet somit eine vielversprechende Alternative zur bisherigen Nutzung von (verspanntem) Silizium.

Mit der Kohlenstoff-unterstützten Germaniumepitaxie auf Silizium wurde am Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik im Rahmen meiner Promotion ein neues Wachstumsverfahren für glatte und vollständig relaxierte Germaniumfilme auf Silizium entwickelt, das Tieftemperaturwachstum von Germanium mit der Beschichtung mit Kohlenstoff und anschließender Temperung kombiniert. Durch die Verwendung mehrerer Wachstumszyklen, lässt sich die Lage der Kohlenstoffzwischenschicht genau einstellen.

Das Hauptziel dieses Projekts ist die Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Germaniumfilmen, die mittels Kohlenstoff-unterstützter Epitaxie gewachsen wurden. Dies soll zunächst durch die Herstellung und Charakterisierungen von pn-Dioden und MOS-Kondensatoren erfolgen. Die hierfür zu etablierenden Prozessschritte sind für die spätere Herstellung eines MOS-Transistors essentiell. Gleichzeitig soll untersucht werden, ob die Kohlenstoffzwischenschicht verwendet werden kann, um technologische Teilschritte zu vereinfachen.

Laufzeit

12 Monate